Número do Padrão: SJ/T 11586-2016(SJ/T11586-2016)
Chinês:半导体器件10KeV低能X射线总剂量辐照试验方法
Português:Método de ensaio para a irradiação de dose total de dispositivos semicondutores por raios X de baixa energia de 10KeV
Data de Vigência:2016-06-01
Âmbito padrão:
Descarregável em PDF: N
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