Número do Padrão: SJ/T 10482-1994(SJ/T10482-1994)
Chinês:半导体深能级的瞬态电容测试方法
Português:Método de ensaio de capacitância transitória para níveis de energia profundos em semicondutores
Data de Vigência:1994-10-01
Âmbito padrão:
Descarregável em PDF: N
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