SJ/T 9014.8.2-2018 Dispositivos Semicondutores Discretos – Parte 8-2: Especificação de pormenor de obturação para transístores de efeito de campo de semicondutores de óxido metálico de superjunção

Número do Padrão: SJ/T 9014.8.2-2018(SJ/T9014.8.2-2018)
Chinês:半导体器件 分立器件第8-2部分:超结金属氧化物半导体场效应晶体管空白详细规范
Português:Dispositivos Semicondutores Discretos – Parte 8-2: Especificação de pormenor de obturação para transístores de efeito de campo de semicondutores de óxido metálico de superjunção

Data de Vigência:2018-07-01
Âmbito padrão:

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